С 13-17 сентября 2021 году в Москве на базе Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук прошла объединённая конференция. В составе группы проектантов была ученица 10 «Б» Терскова С. Конференция была посвящена электронно-лучевым технологиям и рентгеновской оптике в микроэлектронике. Был представлен стендовый доклад «Разработка методики формирования элементов и устройств МЭМС на основе метода динамической силовой литографии». Юные исследователи представляли свой доклад наряду с аспирантами, научными сотрудниками и учёными. Работа была по достоинству оценена не только участниками, но и оргкомитетом конференции и дирекцией ИПТМ РАН. Поздравляем Софью с успешным выступлением и желаем ей дальнейших успехов.